日出ハイテックと大分大学が共同研究を開始-世界初、EV用大電力GaNパワー半導体向け「高機能専用ゲートドライバIC」開発を本格始動
Go-Tech 事業に採択、パワーエレクトロニクスによる電力革新を大分から牽引
株式会社日出ハイテック(日出町:代表取締役 宇都省三)と国立大学法人大分大学(大分市:学長 北野正剛)は、公益財団法人大分県産業創造機構(大分市:理事長 吉村恭彰)を事業管理機関として提案した経済産業省(中小企業庁)の令和8年度「成長型中小企業等研究開発支援事業(通称Go-Tech事業)」に採択された下記の研究開発計画について、共同研究契約を締結し本格始動したことをお知らせします。
計画名:
「GaNパワー半導体の電力革新を加速する高機能専用ゲートドライバICの開発」
研究期間:
令和 8年9月 ~ 令和11年3月まで(約3年)
研究開発の概要:
脱炭素化社会の実現に向けた電動化の進展に伴い、電力ロスの少ないGaN(窒化ガリウム)パワー半導体を用いた電力変換器の採用が拡大しています。その一方で、電気自動車(EV)用インバータや産業用モータ駆動といった大電力用途の変換を制御するGaNパワー半導体向けのゲートドライバICは未だ市場に存在しない状況です。
本研究開発では、EVなどの大電力用途で安全かつ効率的に駆動させるため、次世代省エネの切り札として期待される「GaNパワー半導体」特有の低い閾値電圧や狭いゲート耐圧に対応し、超高速短絡保護や過電流保護などの機能を統合した世界初となる大電力変換器専用ゲートドライバICの開発を目指します。…(添付資料 参照)